სსიპ მიკრო და ნანოელექტრონიკის ინსტიტუტი ჩამოყალიბდა 2011 წელს ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტის ფიზიკის ფაკულტეტის ნახევარგამტარული მიკროელექტრონიკის საბაზო კათედრის ბაზაზე.

The LEPL Institute of Micro and Nanoelectronics was established in 2011 on the basis of the Semiconductor Microelectronics Department of the Physics Faculty at Tbilisi State University.

2012 წელს ინსტიტუტი გახდა სსიპ და გადავიდა სახელმწიფო სამხედრო-სამეცნიერო-ტექნიკური ცენტრი „დელტას" დაქვემდებარებაში. ინსტიტუტში 5 სამეცნიერო ლაბორატორია — 45 საშტატო ერთეულით.

In 2012 it became an LEPL under the State Military-Scientific-Technical Centre "Delta". The Institute has 5 scientific laboratories with 45 staff positions.

ინსტიტუტში 4 მეცნიერებათა დოქტორი (მ.შ. 3 — საქ. საბ. მეცნ. აკად. წევრი), 9 აკადემიური დოქტორი და 4 დოქტორანტი. სამეცნიერო სტატიები იბეჭდება მაღალრეიტინგულ ჟურნალებში. გამოქვეყნებულია 15 სახელმძღვანელო და წიგნი, მიღებულია 9 ეროვნული პატენტი.

The Institute has 4 Doctors of Science (incl. 3 members of the Georgian Academy of Natural Sciences), 9 Academic Doctors and 4 PhD students. Papers published in high-ranking journals. 15 books published, 9 national patents received.

2001 წელს Infineon Technologies AG-მ (გერმანია) გადასცა ათობით ერთეული ტექნ. მოწყობილობა — SIEMENS-ის სრული ტექ. ხაზი სუფთა ოთახებით. შექმნილი ლაბ. ხაზი დღეს უნიკალურად არის აღიარებული მთელ ამიერკავკასიაში.

In 2001 Infineon Technologies AG (Germany) donated dozens of technological devices — a full SIEMENS production line with cleanrooms. The resulting lab line is today recognized as unique throughout Transcaucasia.