ჰეტეროსტრუქტურები ორგანზომილებიანი ელექტრონული გაზით, PIN სტრუქტურები, გარდამავალ მეტალთა ოქსიდები.
პროცესების დამუშავება მიკრო – ნანო და ოპტოელექტრონიკის უნიფიცირებული ბაზური ტექნოლოგიის შესაქმნელად
ზემაღალი სიხშირის ნახევარგამტარული ინტეგრალური სქემების ტექნოლოგია
სქემატექნიკური კვლევები და სხვადასხვა ნახევრადგამტარული მასალების (AIIIBV სტრუქტურების, სილიციუმის და მოდიფიცირებული სილიციუმის საფუძველზე)
სსიპ „მიკრო და ნანოელექტრონიკის ინსტიტუტი“ (მნეი) ფუნქციონირებს 2011 წლის 28 დეკემბრიდან. იგი შეიქმნა ივ. ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტის ფიზიკის ფაკულტეტის ნახევარგამტარული მიკროელექტრონიკის საბაზო კათედრისა და სამეცნიერო–კვლევით ინსტიტუტ (სკი) „მიონი“–ის საფუძველზე.